[发明专利]衬底上的氧化物膜无效
| 申请号： | 200710186086.1 | 申请日： | 1999-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101174667A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | H·W·怀忒;朱申;Y·赖沃 | 申请（专利权）人： | 密苏里大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0264;H01L31/0296;H01L29/12;H01L29/22;H01L23/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种p型氧化锌膜及制造该膜和p－n或n－p结的方法。在优选实施例中，p型氧化锌膜含砷，生长在砷化镓衬底上。p型氧化锌膜的净受主浓度至少为约1015受主/cm3，电阻率低于约1欧姆厘米，霍尔迁移率在约0.1－50cm2/Vs之间。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氧化物 | ||
【主权项】：
1.衬底上的氧化物膜，该氧化物膜的净受主浓度至少为1017受主/cm3。
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