[发明专利]衬底上的氧化物膜无效
| 申请号： | 200710186086.1 | 申请日： | 1999-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101174667A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | H·W·怀忒;朱申;Y·赖沃 | 申请（专利权）人： | 密苏里大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0264;H01L31/0296;H01L29/12;H01L29/22;H01L23/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 氧化物 | ||
1.衬底上的氧化物膜，该氧化物膜的净受主浓度至少为1017受主/cm3。
2.衬底上的氧化物膜，该氧化物膜包含p型掺杂剂且其净受主浓度至少为1015受主/cm3，电阻率在1欧姆厘米和10-4欧姆厘米之间，霍尔迁移率在0.1和50cm2/Vs之间。
3.根据权利要求1或2所述的衬底上的氧化物膜，其中所述衬底选自蓝宝石和ZnO。
4.根据权利要求1或2所述的衬底上的氧化物膜，其中所述氧化物膜是半导体膜。
5.根据权利要求1所述的氧化物膜，其中所述氧化物是氧化锌。
6.根据权利要求5所述的膜，其中所述膜含有p型掺杂剂，该p型掺杂剂包含选自IA族、IB族、VB族和VA族元素的元素。
7.根据权利要求6所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含氮。
8.根据权利要求6所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含砷。
9.根据权利要求6所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含磷。
10.根据权利要求6所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含锑。
11.根据权利要求5所述的膜，其中所述膜是如下的组成部分：p-n结、场效应晶体管、发光器件、发光二极管、激光二极管、光探测二极管，或在器件中作为衬底材料，所述衬底材料用于与器件中的材料进行晶格匹配或用作附着电引线的层。
12.根据权利要求5所述的膜，该膜的电阻率不大于1欧姆厘米。
13.根据权利要求5所述的膜，该膜的电阻率在1欧姆厘米和10-4欧姆厘米之间。
14.根据权利要求5所述的膜，该膜的霍尔迁移率在0.1和50cm2/Vs之间。
15.根据权利要求5所述的膜，该膜的的净受主浓度在1018受主/cm3和1021受主/cm3之间。
16.根据权利要求1所述的膜，其中所述膜含有p型掺杂剂，该p型掺杂剂包含选自IA族、IB族、VB族和VA族元素的元素。
17.根据权利要求16所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含氮。
18.根据权利要求16所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含砷。
19.根据权利要求16所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含磷。
20.根据权利要求16所述的膜，其中所述p型掺杂剂包含锑。
21.根据权利要求1所述的膜，其中所述膜是如下的组成部分：p-n结、场效应晶体管、发光器件、发光二极管、激光二极管、光探测二极管，或在器件中作为衬底材料，所述衬底材料用于与器件中的材料进行晶格匹配或用作附着电引线的层。
22.根据权利要求1所述的膜，该膜的电阻率不大于1欧姆厘米。
23.根据权利要求1所述的膜，该膜的霍尔迁移率在0.1和50cm2/Vs之间。
24.根据权利要求1所述的膜，该膜的净受主浓度在1018受主/cm3和1021受主/cm3之间。
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