[发明专利]等离子体CVD装置及成膜方法有效
| 申请号： | 200710185799.6 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101325836A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 西村一仁;笹冈秀纪 | 申请（专利权）人： | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;C23C16/44;C23C16/513 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体CVD装置及成膜方法，没有成膜的偏差。本发明的等离子体CVD装置，具有：第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；第2电极，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体；形成有多个喷出口的第1气体导入喷嘴，设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，并且设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 cvd 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体CVD装置，具有：第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；第2电极，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体；和形成有多个喷出口的第1气体导入喷嘴，设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，并且设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域。
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