[发明专利]等离子体CVD装置及成膜方法

权利要求书

1.一种等离子体CVD装置，具有：

第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；

第2电极，设置在所述反应槽内，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体；和

具有多个喷出口的第1气体导入喷嘴，多个喷出口设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，

所述多个喷出口设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域，

所述第2电极是由多个电极构成，

所述多个电极由与所述第1电极的中央部相对的中央电极、和与所述第1电极的周边部相对的周边电极构成，

在所述中央电极和所述第1电极之间形成阳极光柱后，所述中央电极与所述第1电极之间的电压或电流值小于所述周边电极与所述第1电极之间的电压或电流值。

2.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

通过所述第1气体导入喷嘴，导入利用所述等离子体而形成活性种的原料气体。

3.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

通过所述第1气体导入喷嘴，导入利用所述等离子体而形成活性种的原料气体和基质气体。

4.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴从所述多个喷出口向所述第1电极的中心轴横向喷出气体。

5.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴设置成包围着所述第1电极的周围。

6.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴的所述多个喷出口相互等间隔地设置。

7.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴的所述多个喷出口与所述第1电极的中心轴间的距离相互相等。

8.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴的所述多个喷出口之中的两个构成的各组喷出口，分别以所述第1电极的中心轴为中心相对地设置。

9.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴的所述喷出口的高度位于比所述等离子体的阳极光柱发生的区域的最高点还要高的位置。

10.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴为环状。

11.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1气体导入喷嘴是沿所述反应槽内的所述第2电极的侧边而相互相对的管。

12.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

具有第2气体导入喷嘴，该第2气体导入喷嘴从所述第2电极的上方向从所述第1气体导入喷嘴喷出的气体喷出基质气体。

13.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

具有多个排放管路，该排放管路设置在所述第1电极的下方，并从所述反应槽排放气体。

14.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

具有多个排放管路，该排放管路设置在所述第1电极的下方，且设置成包围着所述第1电极的周围，并从所述反应槽排放气体。

15.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

在启动时，所述中央电极与所述第1电极之间的电压或电流值设定为比所述周边电极与所述第1电极之间的电压或电流值高。

16.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

在所述多个电极之间设置着绝缘物。

17.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，

所述第1电极的表面由石墨形成。

18.一种成膜方法，其中，

具备第1电极、第2电极和具有多个喷出口的第1气体导入喷嘴的等离子体CVD装置的所述多个喷出口，设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域，其中，所述第1电极设置在反应槽内，并载放基板，所述第2电极设置在所述反应槽内，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体，所述第1气体导入喷嘴的多个喷出口设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，

所述第2电极是由多个电极构成，

所述多个电极由与所述第1电极的中央部相对的中央电极、和与所述第1电极的周边部相对的周边电极构成，

在所述中央电极和所述第1电极之间形成阳极光柱后，所述中央电极与所述第1电极之间的电压或电流值小于所述周边电极与所述第1电极之间的电压或电流值，

在所述第1电极和所述第2电极之间施加电压，从多个喷出口中喷出反应气体，所述多个喷出口被设置成包围等离子体生成的区域。