[发明专利]存储节点及其制造方法,相变存储器件及其制造和操作方法无效
| 申请号： | 200710185796.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101290969A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 许智贤;姜闰浩;李孝锡;崔赫洵;申在光;吴在浚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储节点，具有存储节点的相变存储器件，制造相变存储器件的方法以及操作相变存储器件的方法。相变存储器件包括开关器件和连接到开关器件的存储节点。存储节点包括底部电极，形成在底部电极上的相变层，形成在相变层上的材料层以及围绕材料层形成在相变层上的上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 节点 及其 制造 方法 相变 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储节点，包括：底部电极上的相变层；该相变层上的材料层；以及该相变层上围绕该材料层的上部电极。
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