[发明专利]存储节点及其制造方法,相变存储器件及其制造和操作方法

权利要求书

1.一种存储节点，包括：

底部电极上的相变层；

该相变层上的材料层；以及

该相变层上围绕该材料层的上部电极。

2.一种相变存储器件，包括：

开关器件；以及

连接到该开关器件的根据权利要求1的存储节点。

3.如权利要求2所述的相变存储器件，其中该材料层的电导率小于该上部电极的电导率。

4.如权利要求2所述的相变存储器件，还包括在该底部电极和该相变层之间的底部电极接触层。

5.如权利要求4所述的相变存储器件，其中该材料层的宽度等于或大于该底部电极接触层的宽度，并且该材料层的宽度小于该上部电极的宽度。

6.如权利要求5所述的相变存储器件，其中该材料层基于该相变层的中心对称。

7.如权利要求2所述的相变存储器件，其中该材料层为具有比该上部电极的电导率低的电导率的绝缘层或导电层。

8.如权利要求7所述的相变存储器件，其中该绝缘层是氧化硅层或氮化物层。

9.如权利要求2所述的相变存储器件，其中该材料层向下突出并且被该相变层围绕。

10.如权利要求9所述的相变存储器件，其中该材料层为具有比该上部电极的电导率低的电导率的绝缘层或导电层。

11.一种根据权利要求2的相变存储器件的操作方法，包括：

保持该开关器件的导通状态；以及

施加工作电压至该存储节点。

12.如权利要求11所述的方法，其中该工作电压是选自包括写电压、读电压和擦除电压的组中的一个。

13.一种形成存储节点的方法，包括：

在底部电极上形成相变层；

在该相变层上形成上部电极；

通过形成在该上部电极中的孔暴露该相变层；以及

在该孔中填充材料层。

14.一种制造相变存储器件的方法，包括：

形成开关器件；以及

将根据权利要求13形成的存储节点连接到该开关器件。

15.如权利要求14所述的方法，其中该孔基于该上部电极的中心对称。

16.如权利要求14所述的方法，其中该材料层为具有比该上部电极的电导率低的电导率的绝缘层或导电层。

17.如权利要求16所述的方法，其中该绝缘层是氧化硅层或氮化物层。

18.如权利要求14所述的方法，还包括：

在该底部电极和该相变层之间形成底部电极接触层。

19.如权利要求18所述的方法，其中该孔的直径等于或大于该底部电极接触层的宽度，并且该孔的直径小于该上部电极的宽度。

20.一种形成存储节点的方法，包括：

在底部电极上形成相变层；

在该相变层的一部分上形成材料层；以及

在该相变层上围绕该材料层形成上部电极。

21.一种制造相变存储器件的方法，包括：

形成开关器件；以及

将根据权利要求20形成的存储节点连接到该开关器件。

22.如权利要求21所述的方法，其中该材料层基于该上部电极的中心对称。

23.如权利要求21所述的方法，其中该材料层为具有比该上部电极的电导率低的电导率的绝缘层或导电层。