[发明专利]形成影像传感器保护层的方法无效
| 申请号： | 200710184944.9 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101425470A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;张瑞贤;许献文 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田 野 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成影像传感器保护层的方法，包含将一玻璃黏附到一胶带上并在玻璃上划线定义出其覆盖区域，随后用一撞击装置将玻璃分块，随之在覆盖区域的周围形成一层黏胶。玻璃与一具有影像传感器的晶片连结，并将覆盖区域对齐影像传感器的一微透镜区域，其后将晶片上的胶带移除，因而在影像传感器上的覆盖区域形成一玻璃层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 影像 传感器 保护层 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成影像传感器保护层的方法，该方法包含下列步骤：将一玻璃黏附在一胶带上；在该玻璃上划线以定义出其覆盖区域并分割该玻璃；在该覆盖区域周边形成一层黏胶；将该玻璃接合在具有影像传感器的晶片上并将该覆盖区域对齐该影像传感器的一微透镜区域；固化该黏胶；将该晶片上的胶带移除，如此其影像传感器的覆盖区域上便形成一层玻璃；及切割该影像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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