[发明专利]一种使用键合技术的发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 200710182266.2 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101409319A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈祖辉 | 申请（专利权）人： | 陈祖辉 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/373;H01L23/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000福建省厦门市湖里*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 这种发光二极管的制造方法，其主要特征在于，使用键合工艺时采用导热性良好、导电性差的热沉基板(如氮化铝陶瓷)。热沉键合后，P电极和N电极在LED的同侧。本发明提出的器件结构有利于增加芯片的散热能力，能有效控制芯片工作时的温度。它不但提高芯片的可靠性，而且有助于增大注入电流密度，增加芯片亮度。两个电极在芯片的同侧，还有利于多芯片模组在恒定电流条件下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 技术 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.这种发光二极管的制造方法，其主要特征在于，使用键合技术时采用导热性良好、导电性差的热沉基板(比如氮化铝陶瓷或者类似材料)，或者是在导热性良好的金属材料上生长一层很薄且不导电的复合热沉基板。
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