[发明专利]一种使用键合技术的发光二极管制造方法无效
申请号: | 200710182266.2 | 申请日: | 2007-10-12 |
公开(公告)号: | CN101409319A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 陈祖辉 | 申请(专利权)人: | 陈祖辉 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/373;H01L23/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361000福建省厦门市湖里*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 技术 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】:
1.这种发光二极管的制造方法,其主要特征在于,使用键合技术时采用导热性良好、导电性差的热沉基 板(比如氮化铝陶瓷或者类似材料),或者是在导热性良好的金属材料上生长一层很薄且不导电的复合 热沉基板。
2.热沉键合后LED的P电极和N电极在器件同侧。
3.本发明的制造方法不仅适用于氮化镓蓝、绿光LED的芯片制造,还适用于红黄光LED的芯片制造。
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