[发明专利]一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法有效
| 申请号： | 200710182024.3 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414556A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;李秋德;曾海;洪文田 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法，包括以下步骤：步骤1，在基底上沉积底层多晶介电质，步骤2，再沉积氧化物-氮化物-氧化物层，步骤3，对氧化物-氮化物-氧化物层进行蚀刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物层，步骤4，再沉积顶层多晶介电质，对顶层多晶介电质和底层多晶介电质进行蚀刻。利用本发明的方法蚀刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成，提高产品合格率，使后续制造变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 氧化物 氮化物 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，在基底上沉积底层多晶介电质，步骤2，再沉积氧化物-氮化物-氧化物层，步骤3，对氧化物-氮化物-氧化物层进行蚀刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物层，步骤4，再沉积顶层多晶介电质，对顶层多晶介电质和底层多晶介电质进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
