[发明专利]一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，特别涉及一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法。

背景技术

在闪存的制造过程中，在蚀刻的时候，由于底部多晶介电质的侧部的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)不容易被清除干净，这样很容易形成ONO围篱(ONOFence)，如图1所示，由于有ONO Fence的存在，会对底部的多晶介电质产生一种保护，从而产生多晶介电质残留。多晶介电质残留会严重影响产品的合格率。

发明内容

本发明提出了一种移除氧化物-氮化物-氧化物层的方法，以便有效去除蚀刻时残留的多晶介电质，增加产品合格率。

鉴于上述目的，本发明提出了一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法，包括以下步骤：

步骤1，在基底上沉积底层多晶介电质，

步骤2，再沉积氧化物-氮化物-氧化物层，

步骤3，对氧化物-氮化物-氧化物层进行蚀刻，去除部分氧化物-氮化物-氧化物层，

步骤4，再沉积顶层多晶介电质，对顶层多晶介电质和底层多晶介电质进行蚀刻。

作为优选，上述底层多晶介电质为单级阶梯状。

作为优选，上述多晶介电质为多晶硅，上述氧化物-氮化物-氧化物层为氧化硅-氮化硅-氧化硅层。

利用本发明的方法蚀刻，可以有效地清除ONO，避免ONO Fence的形成，提高产品合格率，使后续制造变得容易。

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

附图说明

图1为现有技术中的薄膜结构蚀刻示意图。

图2为本发明一较佳实施例的底部多晶介电质和氧化物-氮化物-氧化物示意图。

图3为本发明一较佳实施例的最终形成的薄膜结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明所述的移除氧化物-氮化物-氧化物层的方法作进一步的详细说明。

如图2所示，首先在基底14上形成底部多晶介电质13，该多晶介电质可以是多晶硅，而后在底部多晶介电质13上形成氧化物-氮化物-氧化物层(ONO层)12，该氧化物-氮化物-氧化物层可以是氧化硅-氮化硅-氧化硅层，其中底部多晶介电质13为多个单阶梯状，底部多晶介电质13上的ONO层12也是单阶梯状，由于传统的制造方法中，在沉积顶部多晶介电质11后才进行蚀刻，而多晶介电质蚀刻时对ONO的选择比较高，因此ONO蚀刻时对多晶介电质的选择比基本上是1比1，这就使得蚀刻过后，底部多晶介电质13在低处会形成ONO围篱，围篱处有可能形成多晶介电质的残留，而本发明在沉积ONO层12之后，便进行蚀刻，首先蚀刻部分ONO层，蚀刻的部分ONO层的区域与蚀刻的底部多晶介电质13和顶部多晶介电质11的区域是一样的，从而在生成单元门(cell gate)的时候不会存在ONO Fence，从而减少甚至避免因多晶介电质的残留而使电路失效。在进行ONO蚀刻时，采取相应的设备和方法，而后再沉积顶部多晶介电质11，如图3所示，之后进行单元门蚀刻时，由于应当蚀刻的ONO层已被蚀刻，仅需蚀刻底部多晶介电质13和顶部多晶介电质11，不会产生多余的多晶介电质残留。采用此种方法，可以有效地去除ONO，避免后续制造的困难。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；如果不脱离本发明的精神和范围，对本发明进行修改或者等同替换的，均应涵盖在本发明的权利要求的保护范围当中。