[发明专利]形成图样的方法有效
| 申请号： | 200710180852.3 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101364533A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/302;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成图样的方法，包括：提供基板；形成多个种构件于该基板上；形成至少一双膜层结构，该双膜层结构包括形成于该种构件上的第一膜层以及形成于该第一膜层上的第二膜层；移除位于该种构件上的该第一膜层与该第二膜层；以及连续地且非等向地蚀刻该第一膜层与该第二膜层至少一次以形成邻近于该种构件的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图样 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成图样的方法，包括：提供基板；形成多个种构件于该基板上；形成至少一双膜层结构，该双膜层结构包括形成于该种构件上的第一膜层以及形成于该第一膜层上的第二膜层；移除位于该种构件上的该第一膜层与该第二膜层；以及连续地且非等向地蚀刻该第一膜层与该第二膜层至少一次以形成邻近于该种构件的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
