[发明专利]形成图样的方法

权利要求书

1.一种形成图样的方法，包括：

提供基板；

形成多个第一种构件和多个第二种构件于该基板上，第一种构件的高度大于第二种构件的高度；

形成至少一双膜层结构，该双膜层结构包括形成于该第一种构件和第二种构件上的第一膜层以及形成于该第一膜层上的第二膜层；

施行平坦化步骤，移除高于该第一种构件和第二种构件上的该第一膜层与该第二膜层，以露出该第一种构件的顶面；以及

连续地且非等向地蚀刻该第一膜层与该第二膜层至少一次以形成邻近于该种构件的开口。

2.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中该第一膜层包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶硅。

3.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中该第二膜层包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶硅。

4.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中该第一种构件和该第二种构件包括氮化物。

5.如权利要求1所述的形成图样的方法，还包括形成掩模层于该基板与该第一种构件和该第二种构件之间。

6.如权利要求5所述的形成图样的方法，其中该掩模层包括介电材料。

7.如权利要求1所述的形成图样的方法，还包括形成坦覆膜层于最上方的该双膜层结构之上。

8.如权利要求7所述的形成图样的方法，其中该坦覆膜层包括相同于该第一膜层或该第二膜层的材料。

9.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中该第一膜层由等离子体增强型化学气相沉积、原子层沉积或热氧化法所形成。

10.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中该第二膜层由等离子体增强型化学气相沉积、原子层沉积或热氧化法所形成。

11.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中形成该至少一双膜层的步骤是在一腔体内完成。

12.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中连续地且非等向地蚀刻该第一膜层与该第二膜层的步骤是在一腔体内完成。

13.如权利要求1所述的形成图样的方法，其中高于该第一种构件和该第二种构件的该第一膜层与该第二膜层通过化学机械抛光或回蚀刻的方法所移除。