[发明专利]半导体装置的制法、电子仪器的制法和半导体制造装置无效
| 申请号： | 200710180102.6 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101162687A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 佐藤充;宇都宫纯夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能减轻对基板的热负荷，能进行大面积的基板的热处理的半导体装置的制造方法。此外，提高热处理温度的均一性，提高形成的半导体装置的特性。在基板上形成硅膜，在通过用以氢和氧的混合气体作为燃料的气体喷燃器(22)的火焰对该硅膜进行扫描，从而进行热处理的工序中，气体喷燃器(22)的火焰F为大致直线状。结果，热处理温度的均一性提高，减少硅膜的结晶率的偏移，能提高形成的半导体装置的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制法 电子仪器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成第一膜的步骤；通过用以氢和氧的混合气体为燃料的气体喷燃器的火焰对所述第一膜进行扫描，从而进行热处理的步骤；所述气体喷燃器的火焰为大致直线状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
