[发明专利]半导体装置的制法、电子仪器的制法和半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基板上形成第一膜的步骤；

通过用以氢和氧的混合气体为燃料的气体喷燃器的火焰对所述第一膜进行扫描，从而进行热处理的步骤；

所述气体喷燃器的火焰为大致直线状。

2.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基板上形成第一膜的步骤；

通过用以氢和氧的混合气体为燃料的气体喷燃器的火焰对所述第一膜进行扫描，从而进行热处理的步骤；

所述气体喷燃器的火焰是排列为大致直线状的多个火焰，在所述基板上相邻的所述火焰重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过改变所述气体喷燃器和所述基板的距离，从而调整所述火焰的重叠。

4.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基板上形成第一膜的步骤；

通过用以氢和氧的混合气体为燃料、每隔一定间隔排列为大致直线状的多个火焰对所述第一膜进行扫描，从而进行热处理的步骤；

实施所述热处理的步骤具有：

用所述多个火焰在第一方向上进行扫描的第一步骤；

使所述多个火焰在与所述第一方向正交的第二方向上移动所述一定间隔的1/2的距离后，在所述第一方向上进行扫描的第二步骤。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一步骤是所述多个火焰从所述基板的第一端部一侧开始扫描的步骤，

所述第二步骤是所述多个火焰从与所述第一端部相反一侧的第二端部开始扫描的步骤。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一膜是半导体膜，通过所述的热处理，进行所述半导体膜的再结晶。

7.一种电子仪器的制造方法，

具有权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置的制造方法。

8.一种半导体制造装置，包括：

氢和氧的混合气体供给部；

气体喷燃器，其燃烧所述氢和氧的混合气体，以形成火焰；和

移动机构，其使基板在与所述气体喷燃器的火焰正交的方向上移动；

所述气体喷燃器导出所述氢和氧的混合气体，从大致直线状的开口部放射火焰。

9.一种半导体制造装置，包括：

氢和氧的混合气体供给部；

气体喷燃器，其燃烧所述氢和氧的混合气体，以形成火焰；和

移动机构，其使基板在与所述气体喷燃器的火焰正交的方向上移动；

所述气体喷燃器导出所述氢和氧的混合气体，从以一定间距形成大致直线状的多个开口部放射多个火焰。

10.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于，

在多个火焰之下包含具有大致直线状的开口部的喷嘴部，

所述多个火焰通过所述开口部而被放射。

11.根据权利要求9所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述移动机构控制为能在第一方向和与所述第一方向正交的第二方向上移动。