[发明专利]一种低压混频器无效

专利信息
申请号: 200710179979.3 申请日: 2007-12-20
公开(公告)号: CN101188402A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 张晓林;宋丹;张展;夏温博;李怀周;方绍峡 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H03D7/14 分类号: H03D7/14;H03K17/687;G01S1/02
代理公司: 北京永创新实专利事务所 代理人: 周长琪
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器。该混频器包括以下几部分:一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源。该混频器电路结构中,跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间折衷设计的难题。本发明可用于深亚微米RF CMOS电路的应用,尤其用于卫星导航双系统兼容接收机射频集成电路的设计研制,在军用和民用方面都有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 低压 混频器
【主权项】:
1.一种低压混频器,其特征在于,该混频器包括以下几部分:一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源,该混频器的跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接,负载级连接于开关级的源极与地之间,一对电流源连接于开关级的漏极与电源之间,另一对电流源分别连接于跨导级的栅极与地之间、开关级的栅极与地之间,电路中所有MOS管的衬底均与其对应的源极连接。
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