[发明专利]一种低压混频器无效
申请号: | 200710179979.3 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101188402A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 张晓林;宋丹;张展;夏温博;李怀周;方绍峡 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14;H03K17/687;G01S1/02 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 | 代理人: | 周长琪 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器。该混频器包括以下几部分:一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源。该混频器电路结构中,跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间折衷设计的难题。本发明可用于深亚微米RF CMOS电路的应用,尤其用于卫星导航双系统兼容接收机射频集成电路的设计研制,在军用和民用方面都有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 低压 混频器 | ||
【主权项】:
1.一种低压混频器,其特征在于,该混频器包括以下几部分:一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源,该混频器的跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接,负载级连接于开关级的源极与地之间,一对电流源连接于开关级的漏极与电源之间,另一对电流源分别连接于跨导级的栅极与地之间、开关级的栅极与地之间,电路中所有MOS管的衬底均与其对应的源极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710179979.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。