[发明专利]一种低压混频器无效
| 申请号： | 200710179979.3 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101188402A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张晓林;宋丹;张展;夏温博;李怀周;方绍峡 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14;H03K17/687;G01S1/02 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 混频器 | ||
1.一种低压混频器，其特征在于，该混频器包括以下几部分：一对NMOS管组成的跨导级、两对NMOS管组成的开关级、一对NMOS管组成的负载级以及电流源，该混频器的跨导级与开关级之间以折叠共源共栅的方式连接，负载级连接于开关级的源极与地之间，一对电流源连接于开关级的漏极与电源之间，另一对电流源分别连接于跨导级的栅极与地之间、开关级的栅极与地之间，电路中所有MOS管的衬底均与其对应的源极连接。
2.根据权利要求1所述的一种低压混频器，其特征在于所述混频器电路的跨导级由一对NMOS管(10、11)以共源方式连接组成：
射频差分电压信号(RF+、RF-)从这一对NMOS管(10、11)的两个栅极输入，这一对NMOS管(10、11)的两个源极均接地，两个漏极分别与开关级中相应的两个共漏极(A、B)相连。
3.根据权利要求1所述的一种低压混频器，其特征在于所述混频器电路的开关级由两对NMOS管(12～15)组成：
第一个NMOS管(12)的漏极与第三个NMOS管(14)的漏极连接，第二个NMOS管(13)的漏极与第四个NMOS管(15)的漏极连接，跨导级NMOS管(10、11)的两个漏极分别与这两对NMOS管(12～15)的两个共漏极(A、B)相连；
第一个NMOS管(12)的栅极与第四个NMOS管(15)的栅极连接，第二个NMOS管(13)的栅极与第三个NMOS管(14)的栅极连接，本振差分电压信号(LO+、LO-)从这两对NMOS管(12～15)的两个共栅极(C、D)输入；
第一个NMOS管(12)的源极与第二个NMOS管(13)的源极连接，第三个NMOS管(14)的源极与第四个NMOS管(15)的源极连接，中频差分电压信号(IF+、IF-)从这两对NMOS管(12～15)的两个共源极(E、F)输出。
4.根据权利要求1所述的一种低压混频器，其特征在于所述混频器电路的负载级由一对NMOS管(16、17)组成：
一对NMOS管(16、17)的栅极连接，漏极分别与开关级的两个共源极(E、F)连接，源极均与地(GND)连接，偏置电压Vbr输入该对NMOS管(16、17)的共栅极(G)。
5.根据权利要求1所述的一种低压混频器，其特征在于：
所述混频器电路的电流源Irf通过一对电阻(18、19)与跨导级的一对NMOS管(10、11)的两个栅极分别连接；
所述混频器电路的电流源Ilo通过另一对电阻(20、21)与开关级的两对NMOS管(12～15)的两个共栅极(C、D)分别连接；
所述混频器电路的电流源Issa连接于电源(VDD)和开关级的两对NMOS管(12～15)的一个共漏极(A)之间；
所述混频器电路的电流源Issb连接于电源(VDD)和开关级的两对NMOS管(12～15)的另一个共漏极(B)之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710179979.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
