[发明专利]一种带隙基准源产生装置

摘要

本发明涉及一种带隙基准源产生装置，属于模拟电路领域，该装置由带隙基准源产生电路和启动电路两部分组成，带隙基准源产生电路包括：一个单端输出OTA，两个PMOS管，两个电容器，五个电阻器和两个BJT管；启动电路由一个PMOS管和两个NMOS管组成。该装置能够产生不随温度、电源电压变化的基准源。与传统的电流模结构带隙基准源产生装置相比较，该装置避免了电路的系统失配，可以改善基准源的噪声、电源电压抑制比和温度漂移特性。同时基准源的大小可以通过调节电阻器的阻值进行调节，在一些应用环境下可以避免使用同相电压放大器，从而进一步提高基准源的精度并且降低功耗。

主权项

1.一种带隙基准源产生装置，其特征在于，由带隙基准源产生电路和启动电路两部分组成，其中，带隙基准源产生电路的输出端与启动电路输入端相连；所述带隙基准源产生电路包括：一个单端输出OTA，两个PMOS管M1、M2，两个电容器C1、C2，五个电阻器R1、R2A、R2B、R3A、R3B和两个BJT管Q1、Q2；各个器件的连接关系如下：两个PMOS管M1、M2的源极和衬底都接在电源VDD上，PMOS管M1、M2的栅极连在一起，并且与单端输出OTA的输出端、电容器C1、C2的一端相连；M1管的漏极、单端输出OTA的正相输入端、电阻器R3A的一端和电容器C1的另一端在节点(C)相连；M2的漏极、单端输出OTA的负相输入端、电阻器R3B的一端和电容器C2的另一端在节点(D)相连；电阻器R3A的另一端、电阻器R2A的一端和电阻器R1的一端在节点(A)相连；电阻器R3B的另一端、电阻器R2B的一端和BJT管Q2的发射极在节点(B)相连；电阻器R2A的另一端与电阻器R2B的另一端分别接地GND；电阻器R1的另一端与BJT管Q1的发射极相连；BJT管Q1、Q2的基极和集电极都接地GND；输出的带隙基准源VREF 在节点(D)引出；所述PMOS管M1、M2的宽长比相等；电阻器R2A、R2B的阻值相等，电阻器R3A、R3B的阻值相等；所述启动电路由一个PMOS管MS2和两个NMOS管MS1、MS3组成；其连接关系如下：NMOS管MS1和PMOS管MS2的栅极分别连接到所述带隙基准源产生电路的节点(D)上；NMOS管MS1的源极和衬底接地GND；PMOS管MS2的源极和衬底接到电源VDD上；NMOS管MS1的漏极、PMOS管MS2的漏极分别与NMOS管MS3的栅极连接在一起；NMOS管MS3的源极和衬底接地GND；NMOS管MS3的漏极接在所述带隙基准源产生电路中单端输出OTA的输出端上。