[发明专利]一种半导体制程中的干法清洗方法有效
| 申请号： | 200710178788.5 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101450346A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 周洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;B08B5/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 李 伟 |
| 地址： | 100016北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制程中的干法清洗方法，包括如下步骤，a)传统干法清洗步骤；b)吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。本发明中所用的惰性气体为氩气或氦气；吹扫步骤中腔室的压力为60～150mT，优选为60～130mT；通入的气体流量为120～250sccm，通入时间为3～10s。本发明的方法能够有效的减少传统干法清洗中残留的颗粒，为后面的工艺步骤提供一个洁净的环境，从而保证产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 中的 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制程中的干法清洗方法，其包括如下步骤：a)传统干法清洗步骤；和b)吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。
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