[发明专利]一种半导体制程中的干法清洗方法有效
| 申请号： | 200710178788.5 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101450346A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 周洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;B08B5/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 李 伟 |
| 地址： | 100016北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 中的 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体制程中的干法清洗方法，其包括如下步骤：
a）传统干法清洗步骤，开启上电极功率，通入工艺气体进行等离子体启辉；和
b）吹扫步骤，在等离子体熄灭的瞬间通入氮气或惰性气体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述吹扫步骤中关闭上电极功率，关闭工艺气体。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或氦气。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述吹扫步骤中腔室的压力为60～150mT。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述吹扫步骤中腔室的压力为60～130mT。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述吹扫步骤中通入的气体流量为120～250sccm。
7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述吹扫步骤中通入气体的时间为3～10秒。
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