[发明专利]一种高温二氧化硅粉体的制备方法有效
申请号: | 200710177886.7 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101172610A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 张香兰;寇志胜;王向龙;张燕 | 申请(专利权)人: | 中国矿业大学(北京) |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高温二氧化硅粉体的制备方法,包括以下步骤:提供碱性溶液和含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或四氯化硅;将含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或者它们的混合物,或者它们与四氯化硅的任意比例的混合物加入到上述的碱性溶液中,产生硅酸类物质沉淀并得到一含有硅酸类物质沉淀的悬浮液;过滤上述的含有硅酸类物质沉淀的悬浮液并洗涤所得的硅酸类物质沉淀,得到一硅酸类物质沉淀的滤饼;干燥并焙烧上述的硅酸类物质滤饼,得到高温二氧化硅粉体。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高温粉体二氧化硅的制备方法,包括以下步骤:提供碱性溶液和含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或四氯化硅;将含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或者它们的混合物,或者它们与四氯化硅的任意比例的混合物加入到上述的碱性溶液中,产生硅酸类物质沉淀并得到一含有硅酸类物质沉淀的悬浮液;过滤上述的含有硅酸类物质沉淀的悬浮液并洗涤所得的硅酸类物质沉淀,得到一硅酸类物质滤饼;干燥上述的硅酸类物质滤饼;及焙烧上述的硅酸类物质滤饼,得到高温二氧化硅粉体。
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