[发明专利]一种高温二氧化硅粉体的制备方法

权利要求书

1.一种高温粉体二氧化硅的制备方法，包括以下步骤：

提供碱性溶液和含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或四氯化硅；

将含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或者它们的混合物，或者它们与四氯化硅的任意比例的混合物加入到上述的碱性溶液中，产生硅酸类物质沉淀并得到一含有硅酸类物质沉淀的悬浮液；

过滤上述的含有硅酸类物质沉淀的悬浮液并洗涤所得的硅酸类物质沉淀，得到一硅酸类物质滤饼；

干燥上述的硅酸类物质滤饼；及

焙烧上述的硅酸类物质滤饼，得到高温二氧化硅粉体。

2.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，在过滤上述的含有硅酸类物质沉淀的悬浮液之前，还包括一陈化的步骤。

3.如权利要求1所述的含氢卤硅烷分子式表达为HxSiXy，X＝F、Cl、Br、I等；烃基卤硅烷分子式表达为RxSiXy，R可以是脂肪族烃基或芳香族烃基。

4.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的含氢卤硅烷或烃基卤硅烷为一甲基三氯硅烷或三氯氢硅尾气或者是这些化合物与四氯化硅的混合物。

5.如权利要求3所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的烃基卤硅烷为一甲基三氯硅烷，该一甲基三氯硅烷为化学反应合成的或化学反应中的副产物。

6.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的碱性溶液为碱金属、碱土金属的氢氧化物溶液，碱金属、碱土金属的碳酸盐和碳酸氢盐，磷的含氧酸盐的可溶性水溶液，氨水，偏铝酸盐及上述溶液的任意组合。

7.如权利要求6所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述的碱性溶液溶质的质量浓度为2～30％。

8.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，每升碱溶液中含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或者它们的混合物，或者它们与四氯化硅的任意比例的混合物的加入速度为0.1g/min～20g/min。

9.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，将含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或者它们的混合物，或者它们与四氯化硅的任意比例的混合物加入到上述碱性溶液中的反应温度为0℃～80℃。

10.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述停止加入含氢卤硅烷或烃基卤硅烷或者它们的混合物，或者它们与四氯化硅的任意比例的混合物时，上述含有硅酸类物质沉淀的悬浮液的pH值为6～8。

11.如权利要求2所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述洗涤硅酸类物质沉淀的步骤中，当滤液中测不出氯离子时，停止洗涤上述的含有硅酸类物质沉淀。

12.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，干燥所述硅酸类物质沉淀滤饼的温度为150～400℃。

13.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所得到的二氧化硅的粉体的平均粒径在5纳米～150纳米之间。

14.如权利要求12所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，所得到的二氧化硅的粉体的平均粒径在10～50纳米之间。

15.如权利要求1所述的高温粉体二氧化硅的制备方法，其特征在于，对所述的干燥后的硅酸类物质沉淀滤饼焙烧的温度为650℃～1050℃。