[发明专利]氧化硅上制备低阻碳化硅的方法无效
| 申请号： | 200710177782.6 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101440481A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵永梅;孙国胜;宁瑾;王亮;刘兴昉;赵万顺;王雷;李晋闽;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/32;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：(1)在衬底上生长氧化硅层；(2)在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯(或丙烷)和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原位掺杂的方法降低碳化硅的电学电阻，N型掺杂源气体为氨气或氮气，P型掺杂源气体为硼烷或三甲基铝。采用优化的生长条件在氧化硅上获得低阻且表面平整光滑的碳化硅膜层。该发明的材料结构可以用于微纳机械系统(MEMS和NEMS)中。碳化硅作为MEMS结构材料层，其优越的性能使得器件可以应用于高温以及抗腐蚀等恶劣环境中；碳化硅高的杨氏模量可以大大提高谐振器及滤波器的谐振频率，应用于射频通信系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制备 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在衬底(11)上淀积氧化硅层(12)；2)在氧化硅(12)上淀积碳化硅层(13)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
