[发明专利]氧化硅上制备低阻碳化硅的方法

权利要求书

1.一种氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在衬底(11)上淀积氧化硅层(12)；

2)在氧化硅(12)上淀积碳化硅层(13)。

2.根据权利要求1所述的氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，所述衬底(11)为硅，或为蓝宝石，或为氮化镓，或为碳化硅，或为石英，或为砷化镓。

3.根据权利要求1所述的氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，所述氧化硅层(12)的制备方法为等离子体增强化学气相沉积方法，或为高温氧化方法，或为常压化学气相沉积方法或为低压化学气相沉积方法。

4.根据权利要求1所述的氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，所述碳化硅层(13)采用低压化学气相沉积装置生长，生长室压力为5000～15000帕，生长温度为1000～1250℃，采用的源气体为乙烯和硅烷，或为丙烷和硅烷，流量分别为1.5～6标准毫升/分钟和0.5～2标准毫升/分钟。

5.根据权利要求1或4所述的氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，所述碳化硅层(13)采用原位掺杂方法来得到。

6.根据权利要求5所述的氧化硅上制备低阻碳化硅的方法，其特征在于，所述原位掺杂方法包括在生长的同时在源气体中添加掺杂剂，其中N型掺杂采用氨气或氮气，P型掺杂采用硼烷或三甲基铝，氨气或氮气流量为0.1～1标准毫升/分钟，硼烷或三甲基铝流量为1～10标准毫升/分钟。