[发明专利]一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710177379.3 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101188149A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 毕晓昉;陈骆;叶明伟 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜是采用射频磁控溅射共沉积制备在玻璃基片上的。Ge掺杂的AZO透明导电膜由0.5～2.5wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。本发明透明导电膜的室温电阻率为7～8×10－4Ω·cm，在400～800nm可见光范围内平均透过率达到80～90％。经本发明射频磁控溅射共沉积方法制得的透明导电膜，通过掺杂Ge单质并没有改变ZnO的晶体结构，且具有良好的(002)晶体取向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 掺杂 azo 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ge掺杂的AZO透明导电膜，该透明导电膜是沉积在玻璃基片上的，其特征在于：该透明导电膜由0.5～2.5wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710177379.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
