[发明专利]一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种Ge掺杂的AZO透明导电膜，该透明导电膜是沉积在玻璃基片上的，其特征在于：该透明导电膜由0.5～2.5wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。

2.根据权利要求1所述的Ge掺杂的AZO透明导电膜，其特征在于：透明导电膜由1.24wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。

3.根据权利要求1所述的Ge掺杂的AZO透明导电膜，其特征在于：透明导电膜由0.5wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。

4.根据权利要求1所述的Ge掺杂的AZO透明导电膜，其特征在于：透明导电膜的室温电阻率为7～8×10^-4Ω·cm；在400～800nm的可见光范围内平均透过率为80～90％，且具有良好的(002)晶体取向。

5.一种采用射频磁控溅射共沉积制备如权利要求1所述的Ge掺杂的AZO透明导电膜的方法，其特征在于有如下步骤：

第一步：基片前处理

选取玻璃片，并将其在95％丙酮中进行超声波清洗5～15min后，再在99％酒精中进行超声波表面清洗5～15min，然后吹干获得基片；

第二步：选取靶材

选取ZnO靶材，所述ZnO靶材中含有2wt％的Al₂O₃，即第一靶材；

选取纯度为99.999％的Ge片，即第二靶材，待用；

第三步：射频磁控溅射制膜

先将第一步获得的基片安装在磁控溅射仪的阳极板上；

再将第二步选取的第一靶材、第二靶材放入磁控溅射仪中作为阴极；

然后调节沉积工艺参数在基片上制备Ge掺杂的AZO透明导电膜；

沉积工艺参数：磁控溅射仪中真空度为5×10^-4Pa；

溅射气氛为纯氩气，分压为8Pa；

溅射功率为100～150W、自偏压在200～220V；

溅射时间为600～3000s。