[发明专利]一种光刻系统掩模邻近效应校正方法

摘要

一种光刻系统掩模邻近效应校正方法，首先找出硅片上最终图形与掩模设计图形相比较的失真之处，根据失真图形的位置，在掩模图形的相应位置，根据邻近效应校正的方法对掩模图形进行预先分割和添加：在X和Y向图形对接处，添加衬线，并在衬线的两侧添加非透明且具有180度相位偏移的邻近效应校正分割图形，共同组成相移式邻近效应校正的初步构架；然后通过光刻仿真的方法，观察添加相移式邻近效应校正后的曝光结果，并根据曝光结果，用仿真软件测量曝光结果与期望图形的误差，根据此误差调整掩模版上相移式邻近效应校正的尺寸，透过率等相关参数，直至硅片上显影图形与掩模版最初设计图形之间的误差小于工业光刻±10％的偏差容许极限为止。

主权项

1.一种光刻系统掩模邻近效应校正方法，其特征在于：首先评估掩模图形在硅片上成像的效果，找出硅片上最终图形与掩模设计图形相比较的失真之处，根据失真图形的位置，在掩模图形的相应位置，根据邻近效应校正的方法对掩模图形进行预先分割和添加：在X和Y向图形对接处，添加衬线，并在衬线两侧添加非透明且具有180度相位偏移的邻近效应校正分割图形，共同组成相移式邻近效应校正的初步构架；然后通过光刻仿真的方法，观察添加相移式邻近效应校正后的曝光结果，并根据曝光结果，用仿真软件测量曝光结果与期望图形的误差，误差为负且误差较大之处增加邻近效应校正分割图形尺寸，即在X和Y向图形对接处，按照相移式邻近效应校正的方法添加衬线，并在衬线的两侧添加非透明且具有180度相位偏移的邻近效应校正图形；而误差为负且误差较小时，则减小透过率；误差为正且误差较大的地方采用减小邻近效应校正分割图形尺寸的办法，而误差为正且误差较小时，则采用增加透过率的方法实现，通过上述方法不断修正掩模版上相移式邻近效应校正的尺寸及透过率等相关参数，直至硅片上显影图形与掩模版最初设计图形之间的误差小于工业光刻±10％的偏差容许极限为止。