[发明专利]一种制备交叉分子电子器件的方法有效
| 申请号： | 200710176280.1 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101420014A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;刘明;商立伟;刘新华;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一种制备交叉分子电子器件的方法，包括：在基片上淀积一层绝缘介质；在该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；利用抗蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上，然后去除多余的抗蚀剂；沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸发金属，形成下电极；在下电极上淀积双稳态分子薄膜；沿着交叉结构中线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。利用本发明，有效地改避免金属剥离工艺对有机分子造成的损伤，同时具有工艺流程简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 交叉 分子 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，该方法包括：在基片上淀积一层绝缘介质；在该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；利用抗蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上，然后去除多余的抗蚀剂；沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸发金属，形成下电极；在下电极上淀积双稳态分子薄膜；沿着交叉结构中线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710176280.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微光刻投影光学系统、工具及其制造方法
- 下一篇：可植入物装置的热脱离系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
