[发明专利]一种制备交叉分子电子器件的方法

权利要求书

1、一种制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，该方法包括：

在基片上淀积一层绝缘介质；

在该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；

利用抗蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上，然后去除多余的抗蚀剂；

沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸发金属，形成下电极；

在下电极上淀积双稳态分子薄膜；

沿着交叉结构中线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。

2、根据权利要求1所述的制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，所述的绝缘介质为氮化硅或氧化硅。

3、根据权利要求1所述的制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，所述的光刻采用光学光刻、电子束光刻或X射线光刻，或采用图形转移技术纳米压印。

4、根据权利要求1所述的制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，所述刻蚀为干法或湿法刻蚀。

5、根据权利要求1所述的制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，所述蒸发金属包括热蒸发、电子束蒸发或溅射。

6、根据权利要求1所述的制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，所述蒸发金属时一定角度为10度至80度。

7、根据权利要求1所述的制备交叉分子电子器件的方法，其特征在于，所述淀积分子薄膜的方法为自组装、朗缪尔布洛杰特膜法、真空蒸镀或旋涂。