[发明专利]可编程非挥发存储器的单元布图结构及其制造方法

摘要

一种可编程非挥发存储器的单元布图结构及其制造方法，所述单元布图结构包括有源区域、浅槽隔离区域、多晶硅字线，第一层接触、第二层接触，其中每两条位线共用所述第二接触。其中，所述可编程NVM的单元布图结构为网格结构。可使用自对准接触结构，同时取消共源线，并且每个源漏端互相共享使用接触以达到最小尺寸的结构。因此采用了双层接触结构的新设计达到了每两条位线共用接触。与现有技术相比，虽然本发明这种布图结构可能对编程的难度有所增加，但接触的设计使每个单元器件的源极和/或漏极可以独立连接出来，同时达到共源极和/或漏极的目的，最大限度地应用了二维空间的空隙，充分体现了高密度的特性，降低了生产成本。

主权项

1.一种可编程NVM的单元布图结构，包括有源区域、浅槽隔离区域、多晶硅字线，其特征在于还包括：第一层接触、第二层接触，其中每两条位线共用所述第二接触。