[发明专利]可编程非挥发存储器的单元布图结构及其制造方法

权利要求书

1.一种可编程NVM的单元布图结构，包括有源区域、浅槽隔离区域、多晶硅字线，其特征在于还包括：第一层接触、第二层接触，其中每两条位线共用所述第二接触。

2.根据权利要求1所述的可编程NVM的单元布图结构，其特征在于：所述可编程NVM的单元布图结构为网格结构。

3.一种可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、在半导体衬底上形成浮栅和浅槽隔离区；

步骤二、进行阱注入和热退火工艺；

步骤三、生长控制栅极；

步骤四、形成侧墙，进行源/漏极离子注入；

步骤五、生长介电质将金属连线与下层器件区分开，并进行第一层接触和第二层接触的制造。

4.根据权利要求3所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：

所述步骤一具体包括以下步骤：

首先，在半导体衬底表面生长隧道氧化层，之后再生长一非掺杂多晶硅层，再进行多晶硅离子注入，形成浮栅，在形成浮栅后，形成浅槽隔离。

5.根据权利要求4所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：

所述步骤二具体包括以下步骤：

根据硅表面薄膜的组分和厚度进行阱注入，形成基本的器件源区，通过快速热退火工艺将注入离子分布均匀，并形成硅间介电层。

6.根据权利要求5所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：

所述步骤三具体包括以下步骤：

在硅间介电层生长重掺杂多晶硅作为控制栅极，然后又生长一层硅化钨，作为接触与多晶硅栅形成欧姆接触的连接层，再依次生长刻蚀阻挡层，用于形成自对准接触。

7.根据权利要求6所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：

所述步骤三中的所述刻蚀阻挡层为氧化硅层和氮化硅层。

8.根据权利要求7所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：

所述步骤四中利用氮化硅或氧化硅作为栅极的侧墙，然后进行源漏极离子注入，形成完整的MOS器件。

9.根据权利要求8所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：

所述步骤五中第一层接触的制造采用负距离设计规则制造。

10.根据权利要求8所述的可编程非挥发存储器的制造方法，其特征在于：所述步骤五中第二层接触的制造，根据布图的设计，打孔与第一层接触相连接，完成第二层接触的制造。