[发明专利]一种层间电容器的形成方法有效
| 申请号： | 200710173567.9 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101217129A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层间电容器的形成方法，在对层间介质膜选择刻蚀后于形成金属连线的同时形成电容器上极板，具体包括如下步骤：于电容器下极板形成之后，淀积一电容器介质层以及一层间介质膜；通过对层间介质膜的选择刻蚀，于其中形成至少一通孔以及一电容器极板沟槽，其中通孔内淀积有通孔填充层；淀积一金属层于上述带有通孔和电容器极板沟槽的层间介质膜；保留通孔上方的金属层与电容器极板沟槽内的金属层，而刻蚀掉金属层的其他部分，以同时形成至少一金属连线和一电容器上极板金属层，其中通孔上方剩余的金属层为金属连线，电容器极板沟槽内剩余的金属层为电容器上极板金属层，电容器上极板包括该电容器上极板金属层。与传统工艺相比，其无需额外的金属层作电容器上极板，简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层间电容器上极板的形成方法，于电容器下极板形成之后，淀积一电容器介质层以及一层间介质膜，其特征是，包括：通过对层间介质膜的选择刻蚀，于其中形成至少一通孔以及一电容器极板沟槽，其中通孔内淀积有通孔填充层；淀积一金属层于上述带有通孔和电容器极板沟槽的层间介质膜；保留通孔上方的金属层与电容器极板沟槽内的金属层，而刻蚀掉金属层的其他部分，以同时形成至少一金属连线和一电容器上极板金属层，其中通孔上方剩余的金属层为金属连线，电容器极板沟槽内剩余的金属层为电容器上极板金属层，其中，电容器上极板包括该电容器上极板金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
