[发明专利]防止水汽和可动离子进入内部电路的方法及相应压焊窗口无效
| 申请号： | 200710172930.5 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211800A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子进入内部电路的方法和相应压焊窗口。该方法包括：在打开压焊窗口以后，淀积一钝化层；保留该压焊窗口侧壁上的钝化层，去除其余钝化层，而于压焊窗口侧壁形成钝化边墙。在此钝化边墙的保护下，水汽和可动离子很难进入内部电路而对其产生侵蚀，从而减少了外部环境对内部电路的侵蚀以及对器件参数漂移的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 水汽 离子 进入 内部 电路 方法 相应 窗口 | ||
【主权项】：
1.一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，包括：在打开一压焊窗口以后，淀积一钝化层；保留压焊窗口侧壁上的钝化层，去除其余钝化层，而于压焊窗口侧壁形成一钝化边墙。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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