[发明专利]防止水汽和可动离子进入内部电路的方法及相应压焊窗口无效
| 申请号： | 200710172930.5 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211800A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 顾学强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 水汽 离子 进入 内部 电路 方法 相应 窗口 | ||
1.一种于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，包括：
在打开一压焊窗口以后，淀积一钝化层；
保留压焊窗口侧壁上的钝化层，去除其余钝化层，而于压焊窗口侧壁形成一钝化边墙。
2.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中上述钝化层为一氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中上述淀积的钝化层的厚度为100埃到10000埃。
4.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中在形成上述钝化边墙的过程中，是通过各向异性的干法刻蚀对钝化层进行反刻，而去除上述其余钝化层。
5.根据权利要求1所述的于集成电路制造工艺中防止水汽和可动离子通过压焊窗口进入内部电路的方法，其特征是，其中淀积上述钝化层是采用全片淀积的方式。
6.一种压焊窗口，可以防止水汽和可动离子在集成电路制造工艺中进入内部电路，其特征是，包括：
一钝化边墙，形成于该压焊窗口的侧壁。
7.根据权利要求6所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化边墙为一氮化硅边墙。
8.根据权利要求6所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化边墙的厚度为100埃到10000埃。
9.根据权利要求6所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化边墙是通过各向异性的干法刻蚀对一钝化层进行反刻而形成的。
10.根据权利要求9所述的压焊窗口，其特征是，其中上述钝化层是在打开压焊窗口之后以全片淀积的方式淀积于压焊窗口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
