[发明专利]一种复制纳米压印模板的方法无效
| 申请号: | 200710172171.2 | 申请日: | 2007-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN101181836A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
| 发明(设计)人: | 万景;屈新萍;谢申奇;陆冰睿;疏珍;刘冉;陈宜方 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
| 主分类号: | B41C3/00 | 分类号: | B41C3/00;B41C1/02 |
| 代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
| 地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明属于纳米压印技术领域,具体为一种复制纳米压印用模板的方法。本发明采用三层结构压印板的压印方法,压印板上层为SU8胶,经过压印之后SU8可以作为刻蚀掩模对中间层进行选择性刻蚀,中间层采用的是一种对下层具有很强刻蚀选择比的物质,下层采用的是一种易于被氧气反应离子刻蚀去除的且容易进行剥离的胶如PMMA。经过刻蚀,淀积金属以及剥离后,衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀,去除掉残余的金属后即得到复制的模板,本发明方法速度快,成本低,图形转移质量好。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 复制 纳米 压印 模板 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米压印模板的复制方法,其特征在于具体步骤如下:(1)首先制备三层结构压印板,先在衬底上旋涂下层胶PMMA,下层胶的厚度为150nm-350nm;对下层胶前烘后淀积中间层,中间层的厚度为10nm-40nm;最后旋涂并前烘上层胶SU8,厚度为100nm-200nm,且上层胶厚度小于下层胶厚度;中间层材料采用SiO2、Cr、Ti或Ge;(2)采用原始模板进行压印,压印前先在原始模板上覆盖一层抗粘层,接着对三层结构压印板进行压印;经过压印,图形将从模板上转移到上层胶SU8中;(3)压印完成后,进行刻蚀,首先是采用O2反应离子刻蚀去除上层残余的SU8胶而露出中间层;然后以SU8为掩模采用反应离子刻蚀去除中间层;这样,压印在SU8上的图形将几乎无失真的转移到中间层上;刻蚀的最后一步是采用O2反应离子刻蚀,以中间层为掩模对下层胶进行刻蚀,同时也将上层的SU8去除;(4)刻蚀后,采用物理气相淀积方法淀积一金属层;金属层厚度为100nm-20nm;淀积完金属层后,将样品放入丙酮中进行剥离,得到有图形的金属层;这金属层做为下层衬底刻蚀阻挡层,然后选择性的对下层衬底进行反应离子刻蚀;去除残余的金属后,即得到由原始模板复制出来的子模板。
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