[发明专利]一种复制纳米压印模板的方法

权利要求书

1.一种纳米压印模板的复制方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)首先制备三层结构压印板，先在衬底上旋涂下层胶PMMA，下层胶的厚度为150nm-350nm；对下层胶前烘后淀积中间层，中间层的厚度为10nm-40nm；最后旋涂并前烘上层胶SU8，厚度为100nm-200nm，且上层胶厚度小于下层胶厚度；中间层材料采用SiO₂、Cr、Ti或Ge；

(2)采用原始模板进行压印，压印前先在原始模板上覆盖一层抗粘层，接着对三层结构压印板进行压印；经过压印，图形将从模板上转移到上层胶SU8中；

(3)压印完成后，进行刻蚀，首先是采用O₂反应离子刻蚀去除上层残余的SU8胶而露出中间层；然后以SU8为掩模采用反应离子刻蚀去除中间层；这样，压印在SU8上的图形将几乎无失真的转移到中间层上；刻蚀的最后一步是采用O₂反应离子刻蚀，以中间层为掩模对下层胶进行刻蚀，同时也将上层的SU8去除；

(4)刻蚀后，采用物理气相淀积方法淀积一金属层；金属层厚度为100nm-20nm；淀积完金属层后，将样品放入丙酮中进行剥离，得到有图形的金属层；这金属层做为下层衬底刻蚀阻挡层，然后选择性的对下层衬底进行反应离子刻蚀；去除残余的金属后，即得到由原始模板复制出来的子模板。

2.根据权利要求1所述的纳米压印模板的复制方法，其特征在于所述的抗粘层采用十八烷基三氯硅烷或三甲基一氯硅烷。

3.根据权利要求1所述的纳米压印模板的复制方法，其特征在于物理气相淀积方法淀积的金属层材料为Cr、Ni、Pt、Cu、Au、Ru、Mo或Ta。