[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该制造方法利用多灰阶光罩形成具有高度阶梯的光刻胶图案，并以这些光刻胶图案为掩模制作薄膜晶体管阵列基板的各半导体层和导电层。本发明的制造方法可以节省一道光罩工序，因而简化制造过程，降低成本。本发明的薄膜晶体管阵列基板的栅焊盘具有三层金属结构，可以有效地防止栅焊盘腐蚀的发生。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，并该基板上形成一第一金属层，其具有栅线区、栅极区和栅焊盘区；利用一第一光罩在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案，其中覆盖该栅线和栅极区的光刻胶层具有第二高度，覆盖该栅焊盘区的光刻胶层具有第一高度，该第二高度小于该第一高度；以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅线、栅极和栅焊盘下电极的第一导电图案层；去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被该具有第二高度的光刻胶层所覆盖的栅线和栅极；在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；去除剩余的该第一光刻胶图案，以暴露被该具有第一高度的光刻胶层所覆盖的栅焊盘下电极；在基板上沉积一第二金属层，其具有一沟道区、一数据线和源极区、以及一漏极和栅焊盘区；利用一第二光罩在该第二金属层之上形成一第二光刻胶图案，其中覆盖该沟道区的光刻胶层具有第五高度，覆盖该数据线和源极区的光刻胶层具有第四高度，覆盖漏极和栅焊盘区的光刻胶层具有第三高度，且该第三高度＞第四高度＞第五高度；以该第二光刻胶图案为掩模，去除部分的该第二金属层、半导体层和欧姆接触层；去除该第二光刻胶图案的部分厚度，以暴露被具有该第五高度的光刻胶层所覆盖的沟道区；以该第二光刻胶图案为掩模，去除该沟道区的第二金属层和欧姆接触层，以形成一沟道，并形成包括源极、漏极以及数据线和数据焊盘的第二导电图案层；去除该第二光刻胶图案的部分厚度，以暴露被具有该第四高度的光刻胶层所覆盖的数据线和源极，并在其上沉积一钝化层；去除剩余的该第二光刻胶图案，以暴露被具有该第三高度的光刻胶层所覆盖的漏极、数据焊盘和栅焊盘；利用一第三光罩形成一包括像素电极、栅焊盘上电极和数据焊盘上电极的第三导电图案层，其中该像素电极电性连接该漏极。