[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板，并该基板上形成一第一金属层，其具有栅线区、栅极区和栅焊盘区；

利用一第一光罩在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案，其中覆盖该栅线和栅极区的光刻胶层具有第二高度，覆盖该栅焊盘区的光刻胶层具有第一高度，该第二高度小于该第一高度；

以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅线、栅极和栅焊盘下电极的第一导电图案层；

去除该第一光刻胶图案的部分厚度，以暴露被该具有第二高度的光刻胶层所覆盖的栅线和栅极；

在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；

去除剩余的该第一光刻胶图案，以暴露被该具有第一高度的光刻胶层所覆盖的栅焊盘下电极；

在基板上沉积一第二金属层，其具有一沟道区、一数据线和源极区、以及一漏极和栅焊盘区；

利用一第二光罩在该第二金属层之上形成一第二光刻胶图案，其中覆盖该沟道区的光刻胶层具有第五高度，覆盖该数据线和源极区的光刻胶层具有第四高度，覆盖漏极和栅焊盘区的光刻胶层具有第三高度，且该第三高度＞第四高度＞第五高度；

以该第二光刻胶图案为掩模，去除部分的该第二金属层、半导体层和欧姆接触层；

去除该第二光刻胶图案的部分厚度，以暴露被具有该第五高度的光刻胶层所覆盖的沟道区；

以该第二光刻胶图案为掩模，去除该沟道区的第二金属层和欧姆接触层，以形成一沟道，并形成包括源极、漏极以及数据线和数据焊盘的第二导电图案层；

去除该第二光刻胶图案的部分厚度，以暴露被具有该第四高度的光刻胶层所覆盖的数据线和源极，并在其上沉积一钝化层；

去除剩余的该第二光刻胶图案，以暴露被具有该第三高度的光刻胶层所覆盖的漏极、数据焊盘和栅焊盘；

利用一第三光罩形成一包括像素电极、栅焊盘上电极和数据焊盘上电极的第三导电图案层，其中该像素电极电性连接该漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一光罩为一多灰阶光罩。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二光罩为一多灰阶光罩。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，去除该第一光刻胶图案的部分厚度的方法包括等离子体灰化工序。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，去除该第二光刻胶图案的部分厚度的方法包括等离子体灰化工序。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，去除剩余的该第一光刻胶图案的方法包括剥离工序。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，去除剩余的该第二光刻胶图案的方法包括剥离工序。

8.一种使用权利要求1所述的方法制造的薄膜晶体管阵列基板，包括交叉排列的栅线和数据线、形成于栅极线和数据线交叉位置的薄膜晶体管、由栅极线和数据线分隔区域限定的像素电极、连接到数据线的数据焊盘、以及连接到栅线的栅焊盘，其中栅焊盘具有由第一金属层形成的下电极、由第二金属层形成的中电极、以及由第三导电图案层形成的上电极。