[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200710171665.9 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447510A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：导体基底，所述半导体基底中具有源区、漏区及位于所述源区和漏区之间的导电沟道区；位于所述半导体基底上的栅极、环绕所述栅极的侧墙；以及，覆盖所述半导体基底、栅极及侧墙的钝化层，包含所述钝化层的器件的导电沟道区内具有确定的应力；所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层相接，所述第一钝化层具有第一应力，所述第二钝化层具有第二应力。可在不改变器件导电沟道区内应力的条件下，降低器件的漏电流；本发明提供了一种半导体器件形成方法，可形成不改变器件导电沟道区内应力，且降低了器件漏电流的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有源区、漏区及位于所述源区和漏区之间的导电沟道区；位于所述半导体基底上的栅极、环绕所述栅极的侧墙；以及，覆盖所述半导体基底、栅极及侧墙的钝化层，包含所述钝化层的器件的导电沟道区内具有确定的应力；其特征在于：所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层相接，所述第一钝化层具有第一应力，所述第二钝化层具有第二应力。
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