[发明专利]半导体集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 200710169399.6 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101221921A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴仓聚;章勋明;梁明中;蔡信谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路的制造方法。首先，形成低介电常数层于半导体基底上，并形成介电覆盖层于低介电常数层上。以等离子体蚀刻进行第一蚀刻程序，形成第一开口于介电覆盖层且形成第二开口于低介电常数层中，其中第一开口与该第二开口的宽度大抵等于第一尺寸。之后，以等离子体蚀刻或非等离子体蚀刻进行第二蚀刻程序，蚀刻第二开口的侧壁，使得第二开口的宽度大于第一尺寸。本发明能够以维持材料的低介电常数的方式来形成内连线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路的制造方法，包括下列步骤：形成低介电常数层于半导体基底上；形成介电覆盖层于该低介电常数层上；以等离子体蚀刻进行第一蚀刻程序，形成第一开口于该介电覆盖层且形成第二开口于该低介电常数层中，其中该第一开口与该第二开口的宽度大抵等于第一尺寸；以及以等离子体蚀刻或非等离子体蚀刻进行第二蚀刻程序，蚀刻该第二开口的侧壁，使得该第二开口的宽度大于该第一尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
