[发明专利]像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200710166952.0 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101150091A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 林祥麟;林敬桓 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种边缘场切换液晶显示器的像素结构及其制造方法,提供了包含控制区域及显示区域的像素结构的制造方法,该方法包含:在基板上形成包含数据线及栅极的图案化第一导电层;在该基板上形成覆盖该图案化第一导电层的第一绝缘层;在该栅极上的第一绝缘层上形成图案化半导体层;形成包含源极、漏极及栅极线的图案化第二导电层;形成电性连接该漏极并覆盖该显示区域的像素电极;形成第二绝缘层;图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层;以及形成包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极的图案化第三导电层。本发明制造方法仅需六道光刻与蚀刻工艺,节省了制造成本与制造时间,并且像素结构仅包含二层绝缘层,进一步提升像素结构的透光性。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构的制造方法,该像素结构包含控制区域及显示区域,该方法包含以下步骤:在基板上形成图案化第一导电层,该图案化第一导电层包含数据线及栅极;在该基板上形成第一绝缘层,以覆盖该图案化第一导电层;在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层;形成图案化第二导电层,该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线,其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域,而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在该控制区域构成薄膜晶体管结构;形成像素电极,其电性连接该漏极,并覆盖该显示区域;形成第二绝缘层;图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层,以暴露部分该数据线、该源极、该栅极线及该栅极;以及形成图案化第三导电层,其包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极,其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极,该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极,而该共通电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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