[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，该像素结构包含控制区域及显示区域，该方法包含以下步骤：

在基板上形成图案化第一导电层，该图案化第一导电层包含数据线及栅极；

在该基板上形成第一绝缘层，以覆盖该图案化第一导电层；

在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层；

形成图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线，其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在该控制区域构成薄膜晶体管结构；

形成像素电极，其电性连接该漏极，并覆盖该显示区域；

形成第二绝缘层；

图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该数据线、该源极、该栅极线及该栅极；以及

形成图案化第三导电层，其包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极，其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极，而该共通电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化第一导电层的步骤包含以下步骤：

在该基板上沉积第一导电层；

在该第一导电层上形成第一图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以形成该数据线及该栅极；以及

去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成图案化半导体层的步骤是通过第二图案化光致抗蚀剂层对半导体层进行图案化，以在该栅极上方的该第一绝缘层上形成该图案化半导体层。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化第二导电层的步骤包含以下步骤：

沉积第二导电层；

在该第二导电层上形成第三图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，去除部分该第二导电层，以在该图案化半导体层的部分区域形成该源极与该漏极，并在部分该栅极上方的该第一绝缘层上形成该栅极线；以及

去除该第三图案化光致抗蚀剂层。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成该像素电极的步骤包含以下步骤：

沉积透明电极层；

在该透明电极层上形成第四图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以在该显示区域的该第一绝缘层上以及部分该漏极上形成该像素电极；以及

去除该第四图案化光致抗蚀剂层。

6.如权利要求1所述的方法，其中图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层的步骤包含以下步骤：

在该第二绝缘层上形成第五图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成暴露出该数据线的第一接触窗、形成暴露出该源极的第二接触窗、形成暴露出该栅极线的第三接触窗、及形成暴露出该栅极的第四接触窗；以及

去除该第五图案化光致抗蚀剂层。

7.如权利要求6所述的方法，其中形成该图案化第三导电层的步骤包含以下步骤：

沉积第三导电层；

在该第三导电层上形成第六图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以形成该数据线连接电极、该栅极线连接电极及该共通电极，其中该数据线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该栅极线与该栅极，并且该共通电极形成于该第二绝缘层上而与该像素电极电性绝缘，且该共通电极具有多个狭缝；以及

去除该第六图案化光致抗蚀剂层。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第三导电层为透明导电层。