[发明专利]具有局部化掺杂的顶盖层的太阳能电池结构

摘要

本发明揭示一种太阳能电池，所述太阳能电池包含半导体衬底和设置于所述衬底上的包含窗口层在内的一序列半导体层。所述太阳能电池还包含位于所述窗口层上的含有半导体硅的顶盖层。所述顶盖层通过半导体阻挡层与所述窗口层在空间上分离，所述半导体阻挡层不包含硅或具有比所述顶盖层的硅浓度明显低的硅浓度。

主权项

1.一种太阳能电池，其包括：半导体衬底；一序列设置于所述衬底上的半导体层，其中所述序列的半导体层包含半导体窗口层；及位于所述窗口层上的半导体含有硅的顶盖层，其中所述顶盖层通过半导体阻挡层与所述窗口层在空间上分离，所述半导体阻挡层不包含硅或具有比所述顶盖层的硅密度低至少50％的硅浓度。