[发明专利]具有局部化掺杂的顶盖层的太阳能电池结构

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包括：

半导体衬底；

一序列设置于所述衬底上的半导体层，其中所述序列的半导体层包含半导体窗口层；及

位于所述窗口层上的半导体含有硅的顶盖层，其中所述顶盖层通过半导体阻挡层与所述窗口层在空间上分离，所述半导体阻挡层不包含硅或具有比所述顶盖层的硅密度低至少50％的硅浓度。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述阻挡层中的所述硅浓度比所述顶盖层的硅浓度小至少两个数量级。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述阻挡层比所述顶盖层厚至少数倍。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述窗口层包括含有铝的III-V半导体化合物。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述窗口层包括含有铝的III-V半导体化合物，所述阻挡层和顶盖层的每一者均包括III-V半导体化合物，且所述阻挡层具有比所述顶盖层的硅浓度小至少两个数量级的硅浓度。

6.一种制作太阳能电池的方法，其包括：

沉积一序列半导体层以在半导体衬底上形成太阳能电池结构，其中所述序列的半导体层包含半导体窗口层；

在所述窗口层上沉积半导体阻挡层；及

在所述阻挡层上沉积半导体含有硅的顶盖层，

其中所述阻挡层不包含硅或具有比所述顶盖层的硅浓度低至少50％的硅浓度。

7.如权利要求12所述的方法，其中所述阻挡层具有比所述顶盖层的硅浓度小至少两个数量级的硅浓度。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述顶盖层具有比所述阻挡层小至少数倍的厚度。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述窗口层包括含有铝的III-V半导体化合物。