[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质无效

专利信息
申请号: 200710162644.0 申请日: 2007-10-15
公开(公告)号: CN101170053A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 齐藤均;佐藤亮;佐佐木芳彦 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/509;C23C16/513;C23C16/54;G02F1/1333;H05H1/46;H
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时,使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上,通过导电性的升降棒在处理容器外设置有导电性的移动侧接触部件。另一方面,在处理容器的外部,通过导电性的支撑部件设置有导电性的固定侧接触部,使得在上述上部电极被设定在进行等离子体处理的位置时,上述固定侧接触部与上述移动侧接触部件接触,形成高频电流的返回路径。高频电流在下部电极→等离子体→上部电极→升降棒→移动侧接触部件→固定侧接触部→支撑部件→处理容器→高频电源部的接地侧的路径中流动,因此能够减小上述返回路径的电阻。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法 以及 存储 介质
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,在处理容器的内部具有至少一对平行平板电极、和能够进行驱动使得所述一对电极的间隔改变的至少一个驱动电极,从高频电源使高频电流通过处理容器返回到所述高频电源的接地侧,并且利用等离子体对基板进行处理,其特征在于,包括:一端与所述驱动电极电连接的驱动部件、或一端与所述驱动电极电绝缘的驱动部件;使该驱动部件驱动的驱动单元;和至少1个处理容器外接触机构,所述处理容器外接触机构包括:向处理容器外突出的与该驱动部件的另一端电导通的导电性的移动侧接触部件;和以在该移动侧接触部件移动时与该移动侧接触部件接触的方式设置、与处理容器外壁连结的导电性的固定侧接触部件,在所述移动侧接触部件与固定侧接触部件接触时,形成高频电流的返回路径。
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