[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质无效
| 申请号: | 200710162644.0 | 申请日: | 2007-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN101170053A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
| 发明(设计)人: | 齐藤均;佐藤亮;佐佐木芳彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/509;C23C16/513;C23C16/54;G02F1/1333;H05H1/46;H |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种等离子体处理装置,在处理容器的内部具有至少一对平行平板电极、和能够进行驱动使得所述一对电极的间隔改变的至少一个驱动电极,从高频电源使高频电流通过处理容器返回到所述高频电源的接地侧,并且利用等离子体对基板进行处理,其特征在于,包括:
一端与所述驱动电极电连接的驱动部件、或一端与所述驱动电极电绝缘的驱动部件;
使该驱动部件驱动的驱动单元;和
至少1个处理容器外接触机构,
所述处理容器外接触机构包括:
向处理容器外突出的与该驱动部件的另一端电导通的导电性的移动侧接触部件;和
以在该移动侧接触部件移动时与该移动侧接触部件接触的方式设置、与处理容器外壁连结的导电性的固定侧接触部件,
在所述移动侧接触部件与固定侧接触部件接触时,形成高频电流的返回路径。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述处理容器外接触机构的移动侧接触部件与固定侧接触部件的接点,具有与至少1个以上的电极间隔对应的位置。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述处理容器外接触机构的移动侧接触部件与固定侧接触部件的接点,能够改变为与任意的电极间隔对应的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述驱动电极是与载置基板的载置台相对的电极。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述驱动电极是载置基板的载置台。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述驱动电极是阳极电极,该阳极电极与所述驱动部件电连接。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述驱动电极是阳极电极,所述阳极电极与所述驱动部件电绝缘,至少包括一个具有从所述阳极电极经由阻抗调整部而连接的接点的所述处理容器外接触机构。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述驱动电极是阴极电极,所述阴极电极与所述驱动部件电绝缘。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述阴极电极与高频电源之间配置有匹配电路,经由所述处理容器外接触机构的固定侧接触部件与移动侧接触部件的接点以及所述移动侧接触部件的高频的返回电流,返回到该匹配电路的框体。
10.一种等离子体处理方法,在处理容器的内部具有至少一对平行平板电极、和能够进行驱动使得所述一对电极的间隔改变的至少一个驱动电极,从高频电源使高频电流通过处理容器返回到高频电源的接地侧,并且利用等离子体对基板进行处理,其特征在于,包括:
利用一端与所述驱动电极电连接的驱动部件或一端与所述驱动电极电绝缘的驱动部件、和使该驱动部件驱动的驱动单元,使所述驱动电极驱动,扩大所述电极间隔后,将基板搬入到所述处理容器的内部的工序;
使所述驱动电极驱动,直到与所述驱动部件的另一端电导通的移动侧接触部件和与处理容器外壁连结的固定侧接触部件接触的位置,对所述基板进行等离子体处理的工序;和
再次使所述驱动电极驱动、将所述电极间隔扩大后,将基板搬出到处理容器外部的工序。
11.一种存储介质,其特征在于:
在利用等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置中使用,存储有在计算机上运行的计算机程序,
所述计算机程序以实施权利要求10所述的等离子体处理方法的方式将步骤组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





