[发明专利]电子控制装置

摘要

提高使用能方便地进行高速读写的非易失性存储器MRAM的电子控制装置的安全性。从外部工具(108)写入控制程序的MRAM(120A)具有带纠错码的写入电路(122)、译码读出电路(123)、以及将差错发生地址号作为差错数据写入的差错寄存器(125a、125b)，若在指定差错发生地址并进行确认读出时仍然发生差错，则进行重复异常判断，并作异常通知。MRAM(120A)的程序存储区通常为写入禁止状态，连接外部工具(108)时解除禁止状态。将差错寄存器(125a、125b)设置在不成为写入禁止对象的数据存储区。

主权项

1.一种电子控制装置，具有从外部电源供电并根据输入传感器群的工作状况对电负载群进行驱动控制的微处理器，从外部工具对与该微处理器协同工作的非易失性程序存储器传送并写入含控制常数的控制程序，其特征在于，所述微处理器根据作为能进行电读写的非易失性存储器的MRAM(Magnetic Random Access Memory：磁随机存取存储器)中存放的控制程序进行工作、并且将该MRAM划分成在从所述外部工具传送并写入后，以所述微处理器运转中未改变改写的输入输出控制程序为主体的程序存储区和所述微处理器运转中随时改变改写的数据存储区不同的地址区进行存放；所述MRAM还包含对来自所述微处理器的写入指令信号作出响应并对指定地址的存储单元写入添加纠错码的保存数据用的带纠错码的写入电路、对来自所述微处理器的读出指令信号作出响应并从指定地址的存储单元将所述保存数据译码并读出的译码读出电路、设置在所述数据存储区的差错寄存器、以及成为设置在所述程序存储区的确认读出单元和重复异常判断单元的控制程序，并且构成将来自所述微处理器的写入指令信号通过写入禁止/解除单元供给所述MRAM；所述差错寄存器是特定地址存储器，在所述存储单元保存的数据有错码时，将发生差错的地址号当作差错数据加以存放，该保存差错数据是由所述微处理器加以复原或作转移疏散后首次产生的差错数据，或通过依次读出所述存储单元的各地址的内容而在新地址有误码，则存放依次更新的差错数据；所述确认读出单元对所述差错寄存器存放的差错数据作出响应，将所述差错数据复原或加以转移疏散后，再次访问差错发生地址，再次读出并确认所述差错寄存器的内容；所述重复异常判断单元在所述确认读出单元读出的差错寄存器的内容包含相同的差错数据时，判断为同一地址的存储器的内容连续异常；所述写入禁止/解除单元对存放所述控制程序的所述MRAM的程序存储区，禁止将所述微处理器的写入指令信号供给所述MRAM，并在处于连接外部工具对所述MRAM写入控制程序的状态时，对所述微处理器解除所述写入禁止功能，在不连接外部工具、打算进行所述控制程序的修复写入时，将所述写入禁止功能作为例外加以解除，而且对所述重复异常判断单元判断为异常时或进行多次异常判断时作出响应，执行包含异常通知或异常发生信息保存中至少一方的异常处理。