[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200710161864.1 | 申请日: | 2007-09-24 |
公开(公告)号: | CN101266988A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 李玟炯 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括具有晶体管电路和多个下部互连件的衬底。多个第一互连件在衬底上彼此隔开的形成,并通过所述多个下部互连件电连接到CMOS电路。在所述多个第一互连件之间形成多个平坦化的绝缘层以隔开各个单元像素。在包括所述多个绝缘层的衬底上形成本征层,以及在所述本征层上形成第二导电层。所述多个第一互连件、所述本征层和所述第二导电层提供了用于所述图像传感器的光电二极管。根据本发明的图像传感器及其制造方法,能够提高分辨率和灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图像传感器,包括:衬底,具有形成在其中的晶体管电路;多个第一互连件,在所述衬底上彼此隔开,并通过多个下部互连件电连接到所述晶体管电路;多个绝缘层,在所述多个第一互连件之间被平坦化;本征层,形成在包括所述多个绝缘层的所述衬底上;以及第二导电层,形成在所述本征层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的