[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

衬底，具有形成在其中的晶体管电路；

多个第一互连件，在所述衬底上彼此隔开，并通过多个下部互连件电连接到所述晶体管电路；

多个第一导电层，形成在所述多个第一互连件上；

多个绝缘层，在所述多个第一互连件之间被平坦化；

本征层，形成在包括所述多个绝缘层以及所述多个第一导电层的所述衬底上；以及

第二导电层，形成在所述本征层上。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个第一互连件包括能够在低温下被硅化的金属层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括阻挡金属，形成在所述多个第一互连件与所述多个下部互连件之间。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个第一导电层的顶面与所述多个绝缘层的顶面具有相同高度。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个第一导电层包含掺杂的非晶硅。

6.一种图像传感器的制造方法，包括：

在衬底上形成晶体管电路和多个下部互连件；

在所述衬底上形成彼此隔开、并经所述多个下部互连件电连接到所述晶体管电路的多个第一互连件；

在所述多个第一互连件上形成多个第一导电层；

在所述衬底上形成绝缘层；

平坦化所述绝缘层，以在所述多个第一互连件之间形成多个平坦化的绝缘层；

在所述多个平坦化的绝缘层以及所述多个第一导电层上形成本征层；以及

在所述本征层上形成第二导电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成多个第一互连件包括：

在所述衬底上沉积金属层；以及

用蚀刻掩模覆盖所述金属层位于所述多个下部互连件上的多个区域，蚀刻所述金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属层包括能在低温下被硅化的金属。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，平坦化所述绝缘层包括实施化学机械研磨。

10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括，在形成所述多个第一互连件之前，在所述衬底上形成阻挡金属，其中所述阻挡金属形成在每个被隔开的第一互连件下面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述阻挡金属、形成所述多个第一互连件以及形成所述多个第一导电层包括：

在包括所述多个下部互连件的所述衬底上沉积阻挡金属；

在所述阻挡金属上沉积用于所述多个第一互连件的金属层；

在所述金属层上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成蚀刻掩模，使所述蚀刻掩模覆盖所述第一导电层位于所述多个下部互连件上的多个区域；以及

使用所述蚀刻掩模蚀刻所述第一导电层、所述金属层、以及所述阻挡金属。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第一导电层包括：在所述衬底上沉积掺杂的非晶硅层。

13.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述多个第一互连件和形成所述多个第一导电层包括：

在所述衬底上沉积金属层；

在所述金属层上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成蚀刻掩模，使所述蚀刻掩模覆盖所述第一导电层位于所述多个下部互连件上的多个区域；以及

使用所述蚀刻掩模蚀刻所述第一导电层和所述金属层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述第一导电层包括：

在所述衬底上沉积掺杂的非晶硅。

15.根据权利要求6所述的方法，进一步包括，在平坦化所述绝缘层之后，清洗所述衬底。