[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 200710161368.6 | 申请日: | 2007-09-28 | 
| 公开(公告)号: | CN101154672A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 | 
| 发明(设计)人: | 广濑笃志 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 | 
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/522;G01J1/42;G01J1/44;G09G3/34;G09G3/36;G09G5/10 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 本发明的目的在于通过减小放大电路中的寄生电阻抑制设在半导体器件中的光电转换元件的光灵敏度降低,使放大光电转换元件的输出电流的放大电路稳定地工作。本发明涉及一种半导体器件,包括:光电转换元件;具有至少两个薄膜晶体管的电流镜电路;与上所述薄膜晶体管分别电连接的高电位电源;与上所述薄膜晶体管分别电连接的低电位电源。当参考一侧的薄膜晶体管为n型薄膜晶体管时,所述参考一侧的薄膜晶体管布置在接近所述低电位电源的位置。当参考一侧的薄膜晶体管为p型薄膜晶体管时,所述参考一侧的薄膜晶体管布置在接近所述高电位电源的位置。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
                1.一种半导体器件,包括:光电转换元件;具有参考一侧的薄膜晶体管及输出一侧的薄膜晶体管且放大所述光电转换元件的输出的电流镜电路;以及具有高电位电极和低电位电极的电源,其中所述参考一侧的薄膜晶体管及所述输出一侧的薄膜晶体管都是n型薄膜晶体管,所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述光电转换元件电连接到所述高电位电极,所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到所述高电位电极,所述参考一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极,所述输出一侧的薄膜晶体管的源电极及漏电极的另一方电连接到所述低电位电极,所述参考一侧的薄膜晶体管布置在比所述输出一侧的薄膜晶体管接近所述低电位电极的位置。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





